SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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Technische Details SIS434DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc), Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 20V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Base Part Number: SIS434, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8.

Preis SIS434DN-T1-GE3 ab 0.52 EUR bis 1.39 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SIS434DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SIS434DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Material: SIS434DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Base Part Number: SIS434
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 20V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay Siliconix
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SIS434DN-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 20V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Base Part Number: SIS434
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Manufacturer: Vishay Siliconix
Base Part Number: SIS434
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 20V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
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