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SIS434DN-T1-GE3

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Transistoren > MOSFET N-CH

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SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Vishay sis434dn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Vishay sis434dn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0014899736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
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SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sis434dn.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0014899736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
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SIS434DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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SIS434DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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SIS434DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
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Produktcode: 202220
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Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
162 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-162KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 39014
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RC0603HIT.pdf
162 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-162KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 162 kOhm
Toleranz: ±1% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
auf Bestellung: 3660 St.
  • 3660 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+0.043 EUR
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10000+0.0086 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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16,9 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K9-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 27714
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16,9 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K9-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 16,9 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 4091 St.
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AnzahlPrivatkunde
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33pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N330J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 16718
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NPO.pdf
33pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N330J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 33 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1048 St.
  • 1048 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.027 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.019 EUR
10000+0.0057 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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