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SIS434DN-T1-GE3

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Produktcode: 209118
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis434dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.58 EUR
6000+0.55 EUR
9000+0.54 EUR
15000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sis434dn.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 51557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.88 EUR
10+1.21 EUR
100+0.92 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis434dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 22024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.88 EUR
15+1.23 EUR
100+0.93 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0014899736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
auf Bestellung 24748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0014899736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SIS434DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.58 EUR
6000+0.55 EUR
9000+0.54 EUR
15000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIS434DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 51557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+1.88 EUR
10+1.21 EUR
100+0.92 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIS434DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 22024 Stücke:
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AnzahlPreis
10+1.88 EUR
15+1.23 EUR
100+0.93 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SIS434DN-T1-GE3 VISH-S-A0014899736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS434DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
auf Bestellung 24748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS434DN-T1-GE3 VISH-S-A0014899736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS434DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SIS438DN-T1-GE3
Produktcode: 186242
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
74435581200 індуктивність
Produktcode: 202220
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Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
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162 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 39014
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RC0603HIT.pdf
162 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 162 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 3660 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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16,9 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K9-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 27714
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RC_series.pdf
16,9 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K9-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 16,9 kOh
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 5791 St.
  • 1200 St. - stock Köln
  • 4591 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
10+0.005 EUR
100+0.0045 EUR
1000+0.0039 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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33pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N330J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 16718
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NPO.pdf
33pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N330J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 33pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
verfügbar: 2548 St.
  • 1200 St. - stock Köln
  • 1348 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
10+0.022 EUR
100+0.0074 EUR
1000+0.0052 EUR
10000+0.0048 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH