Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

sis434dn.pdf
Produktcode: 209118
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
erwartet 60 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote SIS434DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.59 EUR bis 1.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sis434dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V
auf Bestellung 8986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.61 EUR
6000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay sis434dn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay sis434dn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay sis434dn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sis434dn.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 62405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.87 EUR
10+1.24 EUR
100+0.94 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sis434dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V
auf Bestellung 8986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.95 EUR
14+1.3 EUR
100+0.98 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sis434dn.pdf Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0063 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 22454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sis434dn.pdf Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0063 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 22454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay sis434dn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS434DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay sis434dn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay sis434dn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay sis434dn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS434DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sis434dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 17.6A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 17.6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS434DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sis434dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 17.6A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 17.6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH