Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

sis438dn.pdf
Produktcode: 186242
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote SIS438DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.56 EUR bis 2.37 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SiS438DN-T1-GE3 SiS438DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis438dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS438DN-T1-GE3 SIS438DN-T1-GE3 Vishay sis438dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiS438DN-T1-GE3 SiS438DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sis438dn.pdf MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 5403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.25 EUR
100+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS438DN-T1-GE3 SIS438DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000786607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+2.17 EUR
168+1.38 EUR
231+0.93 EUR
500+0.81 EUR
1500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS438DN-T1-GE3 SIS438DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000786607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+2.17 EUR
168+1.38 EUR
231+0.93 EUR
500+0.81 EUR
1500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiS438DN-T1-GE3 SiS438DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis438dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
auf Bestellung 28231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
15+1.49 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiS438DN-T1-GE3 sis438dn.pdf
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiS438DN-T1-GE3 sis438dn.pdf
SiS438DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS438DN-T1-GE3 sis438dn.pdf
SIS438DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiS438DN-T1-GE3 sis438dn.pdf
SiS438DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 5403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.8 EUR
10+1.25 EUR
100+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS438DN-T1-GE3 VISH-S-A0000786607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS438DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+2.17 EUR
168+1.38 EUR
231+0.93 EUR
500+0.81 EUR
1500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS438DN-T1-GE3 VISH-S-A0000786607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS438DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+2.17 EUR
168+1.38 EUR
231+0.93 EUR
500+0.81 EUR
1500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiS438DN-T1-GE3 sis438dn.pdf
SiS438DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
auf Bestellung 28231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.37 EUR
15+1.49 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiS438DN-T1-GE3 sis438dn.pdf
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

SIS434DN-T1-GE3
Produktcode: 209118
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
sis434dn.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
162 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-162KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 39014
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
RC0603HIT.pdf
162 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-162KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 162 kOhm
Toleranz: ±1% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
auf Bestellung: 3660 St.
  • 3660 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.011 EUR
10000+0.0086 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
16,9 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K9-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 27714
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
RC_series.pdf
16,9 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-16K9-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 16,9 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 4191 St.
  • 4191 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.006 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
33pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N330J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 16718
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
NPO.pdf
33pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N330J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 33 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1268 St.
  • 1268 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.027 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.019 EUR
10000+0.0057 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
620 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-620K-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 11312
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
rc_series_20150401_1.pdf
620 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-620K-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 620 kOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
auf Bestellung: 4297 St.
  • 4297 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.005 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH