SiS438DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.45 EUR |
| 9000+ | 0.43 EUR |
| 15000+ | 0.42 EUR |
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Technische Details SiS438DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SiS438DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.5 EUR bis 1.52 EUR
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SIS438DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SiS438DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V |
auf Bestellung 34068 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SiS438DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 6791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIS438DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS438DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SiS438DN-T1-GE3 |
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auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIS438DN-T1-GE3 Produktcode: 186242
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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SIS438DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
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SIS438DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 14.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIS438DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SiS438DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 32A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 16A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 17.5W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SiS438DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 32A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 16A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 17.5W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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