SISA72ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
auf Bestellung 10977 Stücke:
Lieferzeit 611-625 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
28+ | 1.91 EUR |
31+ | 1.68 EUR |
100+ | 1.29 EUR |
500+ | 1.02 EUR |
1000+ | 0.83 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SISA72ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SISA72ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 94 A, 0.00271 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 94A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00271ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SISA72ADN-T1-GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
SISA72ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISA72ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 94 A, 0.00271 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00271ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 22940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
SISA72ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK |
auf Bestellung 3528 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
SISA72ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISA72ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 94 A, 0.00271 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00271ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 22940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
SISA72ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
SISA72ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY | SISA72ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |