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SISA72ADN-T1-GE3

SISA72ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sisa72adn.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 20 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.6 EUR
6000+0.55 EUR
9000+0.52 EUR
15000+0.51 EUR
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Technische Details SISA72ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISA72ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 94 A, 0.00271 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 94A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00271ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Weitere Produktangebote SISA72ADN-T1-GE3 nach Preis ab 0.67 EUR bis 2.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SISA72ADN-T1-GE3 SISA72ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sisa72adn-1766867.pdf MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 10977 Stücke:
Lieferzeit 607-611 Tag (e)
3+1.54 EUR
10+1.36 EUR
100+1.04 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SISA72ADN-T1-GE3 SISA72ADN-T1-GE3 VISHAY sisa72adn.pdf Description: VISHAY - SISA72ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 94 A, 0.00271 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00271ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 22940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.05 EUR
146+1.59 EUR
209+1.02 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.71 EUR
12000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
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SISA72ADN-T1-GE3 SISA72ADN-T1-GE3 VISHAY sisa72adn.pdf Description: VISHAY - SISA72ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 94 A, 0.00271 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00271ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 22940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.05 EUR
146+1.59 EUR
209+1.02 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.71 EUR
12000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
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SISA72ADN-T1-GE3 SISA72ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa72adn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 20 V
auf Bestellung 21039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.45 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SISA72ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISA72ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 94 A, 0.00271 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00271ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 22940 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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146+1.59 EUR
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1000+0.73 EUR
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SISA72ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISA72ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 94 A, 0.00271 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00271ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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146+1.59 EUR
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500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.71 EUR
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SISA72ADN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 20 V
auf Bestellung 21039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.32 EUR
15+1.45 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
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