SISB46DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SISB46DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.3A; Idm: 70A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 27.3A, On-state resistance: 15.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 14.8W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 22nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -16...20V, Pulsed drain current: 70A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SISB46DN-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| SISB46DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.3A; Idm: 70A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 27.3A On-state resistance: 15.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 14.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 70A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SISB46DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8 |
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SISB46DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SISB46DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.3A; Idm: 70A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 27.3A On-state resistance: 15.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 14.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 70A |
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