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SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sisb46dn.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
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Technische Details SISB46DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 9700 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9700µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 23W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9700µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 23W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SISB46DN-T1-GE3 SISB46DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002472537-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 9700 µohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A
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Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9700µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SISB46DN-T1-GE3 SISB46DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002472537-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 9700 µohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9700µohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
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Produktpalette: TrenchFET IV Series
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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SISB46DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
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SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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Hersteller: VISHAY
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9700µohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 23W
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