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SISF02DN-T1-GE3

SISF02DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

sisf02dn.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET COMMON-DRAIN DUAL N-CH 25V
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Technische Details SISF02DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 0.0027 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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SISF02DN-T1-GE3 SISF02DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sisf02dn.pdf Description: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 0.0027 ohm
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
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Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SISF02DN-T1-GE3 SISF02DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sisf02dn.pdf Description: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 0.0027 ohm
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SISF02DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sisf02dn.pdf Description: MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Part Status: Active
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SISF02DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sisf02dn.pdf SISF02DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SISF02DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sisf02dn.pdf Description: MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Part Status: Active
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