SISF02DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 2.46 EUR |
| 10+ | 2.01 EUR |
| 100+ | 1.59 EUR |
| 500+ | 1.35 EUR |
| 1000+ | 1.10 EUR |
| 3000+ | 1.04 EUR |
| 6000+ | 0.99 EUR |
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Technische Details SISF02DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 0.0027 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SISF02DN-T1-GE3 nach Preis ab 2.29 EUR bis 2.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||
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SISF02DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 0.0027 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SISF02DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 0.0027 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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| SISF02DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Part Status: Active |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SISF02DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SISF02DN-T1-GE3 Multi channel transistors |
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| SISF02DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Part Status: Active |
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