SISS23DN-T1-GE3
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Technische Details SISS23DN-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840pF @ 15V, Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: Vishay Siliconix, Base Part Number: SISS23, Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ).
Preis SISS23DN-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R 
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SISS23DN-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S
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auf Bestellung 45660 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840pF @ 15V Vgs (Max): ±8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Manufacturer: Vishay Siliconix Base Part Number: SISS23 Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S Base Part Number: SISS23 Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) Manufacturer: Vishay Siliconix Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840pF @ 15V Vgs (Max): ±8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840pF @ 15V Vgs (Max): ±8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Part Status: Active Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
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auf Bestellung 2560 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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