Produkte > VISHAY SILICONIX > SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SISS23DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 4142144-3
Price: 1800.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
3000+	0.6 EUR
6000+	0.56 EUR
9000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Weitere Produktangebote SISS23DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.41 EUR bis 2.43 EUR

Foto

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Preis

SISS23DN-T1-GE3

VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 36W
Gate-source voltage: ±8V
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -20V

auf Bestellung 4364 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	1.52 EUR
70+	1.04 EUR
102+	0.7 EUR
120+	0.6 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 48

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISS23DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V

auf Bestellung 21986 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.27 EUR
13+	1.43 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISS23DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S

auf Bestellung 17001 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.43 EUR
10+	1.54 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR
3000+	0.64 EUR
6000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISS23DN-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0001144380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

auf Bestellung 5434 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISS23DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

auf Bestellung 5434 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISS23DN-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 36W
Gate-source voltage: ±8V
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -20V

auf Bestellung 4364 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
48+	1.52 EUR
70+	1.04 EUR
102+	0.7 EUR
120+	0.6 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 48

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISS23DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V

auf Bestellung 21986 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
8+	2.27 EUR
13+	1.43 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISS23DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S

auf Bestellung 17001 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
2+	2.43 EUR
10+	1.54 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR
3000+	0.64 EUR
6000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISS23DN-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

auf Bestellung 5434 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISS23DN-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

auf Bestellung 5434 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH