SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.49 EUR |
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Technische Details SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SISS23DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.41 EUR bis 1.52 EUR
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SISS23DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V |
auf Bestellung 8546 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS23DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S |
auf Bestellung 8917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS23DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 4314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISS23DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 4314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SISS23DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -50A On-state resistance: 4.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Gate charge: 300nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -200A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SISS23DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -50A On-state resistance: 4.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Gate charge: 300nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -200A |
auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SISS23DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |