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SISS40DN-T1-GE3

SISS40DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors


siss40dn-1764362.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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Technische Details SISS40DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29A; Idm: 60A; 33W, Technology: TrenchFET®, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 33W, Gate charge: 24nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 29A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 26mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 60A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SISS40DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY siss40dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29A; Idm: 60A; 33W
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 33W
Gate charge: 24nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 29A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISS40DN-T1-GE3 SISS40DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix siss40dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK
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SISS40DN-T1-GE3 SISS40DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix siss40dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK
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SISS40DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY siss40dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29A; Idm: 60A; 33W
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 33W
Gate charge: 24nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 29A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
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