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SISS40DN-T1-GE3

SISS40DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

siss40dn.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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Technische Details SISS40DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SISS40DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36.5 A, 0.0176 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0176ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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SISS40DN-T1-GE3 SISS40DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISHS100176-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISS40DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36.5 A, 0.0176 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.5A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0176ohm
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SISS40DN-T1-GE3 SISS40DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix siss40dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK
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