SISS40DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SISS40DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29A; Idm: 60A; 33W, Technology: TrenchFET®, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 33W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 24nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 60A, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 29A, On-state resistance: 26mΩ, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SISS40DN-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| SISS40DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29A; Idm: 60A; 33W Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 33W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 24nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 100V Drain current: 29A On-state resistance: 26mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SISS40DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK |
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SISS40DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK |
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| SISS40DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29A; Idm: 60A; 33W Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 33W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 24nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 100V Drain current: 29A On-state resistance: 26mΩ |
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