SISS64DN-T1-GE3
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Technische Details SISS64DN-T1-GE3
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420pF @ 15V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Base Part Number: SISS64.
Preis SISS64DN-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 40 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 57 Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.2 SVHC: Lead (19-Jan-2021) 
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2000 Stücke |
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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auf Bestellung 2047 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Part Status: Active FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (Max): +20V, -16V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420pF @ 15V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Base Part Number: SISS64
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auf Bestellung 11534 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420pF @ 15V Vgs (Max): +20V, -16V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) Manufacturer: Vishay Siliconix Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Base Part Number: SISS64
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auf Bestellung 1589 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Base Part Number: SISS64 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420pF @ 15V Vgs (Max): +20V, -16V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Manufacturer: Vishay Siliconix
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