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SISS64DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Name: SISS64DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 148563-4
Price: 3.9 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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Technische Details SISS64DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Anzahl der Pins: 8Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm.

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
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