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SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors


siss64dn.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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Technische Details SISS64DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Anzahl der Pins: 8Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SISS64DN-T1-GE3 SISS64DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2687541.pdf Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
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SISS64DN-T1-GE3 SISS64DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2687541.pdf Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
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SISS64DN-T1-GE3 SISS64DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay siss64dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R
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SISS64DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY siss64dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISS64DN-T1-GE3 SISS64DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix siss64dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
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SISS64DN-T1-GE3 SISS64DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix siss64dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
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SISS64DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY siss64dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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