Produkte > VISHAY SEMICONDUCTORS > SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Name: SISS64DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 148563-4
Price: 3.9 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

auf Bestellung 14696 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
2+	1.95 EUR
10+	1.62 EUR
100+	1.30 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.94 EUR
3000+	0.90 EUR
6000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details SISS64DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Anzahl der Pins: 8Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm.

Weitere Produktangebote SISS64DN-T1-GE3

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
SISS64DN-T1-GE3	Hersteller : VISHAY	Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm	auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SISS64DN-T1-GE3	Hersteller : VISHAY	Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm	auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SISS64DN-T1-GE3	Hersteller : Vishay	Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SISS64DN-T1-GE3	Hersteller : VISHAY	SISS64DN-T1-GE3 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SISS64DN-T1-GE3	Hersteller : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SISS64DN-T1-GE3	Hersteller : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH