SISS64DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| 500+ | 1.04 EUR |
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Technische Details SISS64DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Anzahl der Pins: 8Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm.
Weitere Produktangebote SISS64DN-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SISS64DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm |
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SISS64DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm |
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SISS64DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SISS64DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 100A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A On-state resistance: 2.86mΩ Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 68nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SISS64DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S |
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SISS64DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S |
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| SISS64DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 100A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A On-state resistance: 2.86mΩ Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 68nC |
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