SiSS71DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SiSS71DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.047 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SISS71DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.047 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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SISS71DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP |
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SiSS71DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; Idm: -40A; 36W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 36W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 59mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SiSS71DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S |
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SiSS71DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S |
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SiSS71DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; Idm: -40A; 36W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 36W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 59mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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