SiSS71DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 50 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.14 EUR |
| 11+ | 1.99 EUR |
| 100+ | 1.32 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
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Technische Details SiSS71DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.059 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 57W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm.
Weitere Produktangebote SiSS71DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.89 EUR bis 3.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SiSS71DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
auf Bestellung 18041 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS71DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.059 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 57W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm |
auf Bestellung 28100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SISS71DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.059 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 57W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm |
auf Bestellung 28100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SiSS71DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 18041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.17 EUR |
| 10+ | 2.01 EUR |
| 100+ | 1.34 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
| 3000+ | 0.89 EUR |
| SISS71DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.059 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
Description: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.059 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 57W
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Produktpalette: ThunderFET
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 28100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SISS71DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.059 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
Description: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.059 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
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auf Bestellung 28100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)