SISS92DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SISS92DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 250V; 9.9A; Idm: 20A, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.19Ω, Gate charge: 16nC, Drain current: 9.9A, Drain-source voltage: 250V, Technology: ThunderFET; TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Case: PowerPAK® 1212-8, Pulsed drain current: 20A, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 42.1W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SISS92DN-T1-GE3 nach Preis ab 2.13 EUR bis 3.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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SISS92DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK |
auf Bestellung 166 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SISS92DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 12.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SISS92DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 250V; 9.9A; Idm: 20A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.19Ω Gate charge: 16nC Drain current: 9.9A Drain-source voltage: 250V Technology: ThunderFET; TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PowerPAK® 1212-8 Pulsed drain current: 20A Polarisation: unipolar Power dissipation: 42.1W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SISS92DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SISS92DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 250V; 9.9A; Idm: 20A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.19Ω Gate charge: 16nC Drain current: 9.9A Drain-source voltage: 250V Technology: ThunderFET; TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PowerPAK® 1212-8 Pulsed drain current: 20A Polarisation: unipolar Power dissipation: 42.1W |
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