SISS92DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SISS92DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.14 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SISS92DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.81 EUR bis 2.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SISS92DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
 MOSFETs 250V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
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SISS92DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.14 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SISS92DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.14 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SISS92DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 12.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SISS92DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SISS92DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SISS92DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |