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SISS92DN-T1-GE3

SISS92DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss92dn.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
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Technische Details SISS92DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.173 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 65.8W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SISS92DN-T1-GE3 SISS92DN-T1-GE3 VISHAY siss92dn.pdf Description: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.173 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
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SISS92DN-T1-GE3 SISS92DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix siss92dn.pdf MOSFETs 250V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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SISS92DN-T1-GE3 SISS92DN-T1-GE3 VISHAY siss92dn.pdf Description: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.173 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 65.8W
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
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SISS92DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.173 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Description: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.173 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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