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SKM400GB12T4

SKM400GB12T4 SEMIKRON


SEMI-S-A0002552688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Hersteller: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM400GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 616 A, 1.8 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 616A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 616A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
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Technische Details SKM400GB12T4 SEMIKRON

Description: SEMIKRON - SKM400GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 616 A, 1.8 V, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, Dauer-Kollektorstrom: 616A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 616A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).

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SKM400GB12T4 SKM400GB12T4 Hersteller : Semikron 183701998562954183697787873409semikron_datasheet_skm400gb12t4_22892080.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 616A 7-Pin
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