SKM400GB12T4 22892080 SEMIKRON DANFOSS
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Topology: IGBT half-bridge
Pulsed collector current: 1.2kA
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SEMITRANS3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
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Technische Details SKM400GB12T4 22892080 SEMIKRON DANFOSS
Description: SEMIKRON - SKM400GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 616 A, 1.8 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: -, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 616A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 616A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote SKM400GB12T4 22892080 nach Preis ab 688.94 EUR bis 755.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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SKM400GB12T4 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM400GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 616 A, 1.8 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 616A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 616A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SKM400GB12T4 |
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Hersteller: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM400GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 616 A, 1.8 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 616A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 616A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: SEMIKRON - SKM400GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 616 A, 1.8 V, 175 °C, Modul
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
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Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 616A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 616A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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