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SQ2319ADS-T1_GE3

SQ2319ADS-T1_GE3 Vishay

sq2319ads.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SQ2319ADS-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq2319ads.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
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6000+ 0.57 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2319ads.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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21000+ 0.57 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2319ads.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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246+ 0.62 EUR
248+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 226
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Hersteller : VISHAY SQ2319ADS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
76+0.94 EUR
147+ 0.49 EUR
167+ 0.43 EUR
189+ 0.38 EUR
200+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 76
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Hersteller : VISHAY SQ2319ADS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq2319ads.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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17+1.59 EUR
19+ 1.37 EUR
100+ 0.95 EUR
500+ 0.79 EUR
1000+ 0.68 EUR
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SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sq2319ads.pdf MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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38+ 1.38 EUR
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500+ 0.8 EUR
1000+ 0.68 EUR
3000+ 0.61 EUR
6000+ 0.57 EUR
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SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 2614538.pdf Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 2614538.pdf Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2319ads.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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SQ2319ADS-T1_GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sq2319ads.pdf SQ2319ADS-T1_GE3 P-CH 40V 4,6A 75mOhm SOT-23
auf Bestellung 1400 Stücke:
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SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2319ads.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2319ads.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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