SQ2319ADS-T1_GE3 Vishay
auf Bestellung 5975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 374+ | 0.39 EUR |
| 419+ | 0.33 EUR |
| 500+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 3000+ | 0.25 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SQ2319ADS-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SQ2319ADS-T1_GE3 nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 5990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 33994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 11540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
| SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
SQ2319ADS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
auf Bestellung 1676 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
| SQ2319ADS-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
SQ2319ADS-T1_GE3 P-CH 40V 4,6A 75mOhm SOT-23 |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |