SQJ459EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3

Hersteller: VISHAY
Material: SQJ459EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Technische Details SQJ459EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Part Status: Active, Base Part Number: SQJ459, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586pF @ 30V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V.

Preis SQJ459EP-T1_GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SQJ459EP-T1_GE3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SQJ459EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Base Part Number: SQJ459
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586pF @ 30V
Vgs (Max): ±20V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Part Status: Active
Base Part Number: SQJ459
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586pF @ 30V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586pF @ 30V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Base Part Number: SQJ459
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
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