SQJ459EP-T1_GE3
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Technische Details SQJ459EP-T1_GE3
Description: MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Part Status: Active, Base Part Number: SQJ459, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586pF @ 30V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V.
Preis SQJ459EP-T1_GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R 
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SQJ459EP-T1_GE3 Hersteller: VISHAY Material: SQJ459EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQJ459EP-T1_GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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SQJ459EP-T1_GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Base Part Number: SQJ459 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586pF @ 30V Vgs (Max): ±20V
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auf Bestellung 53128 Stücke  Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Part Status: Active Base Part Number: SQJ459 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586pF @ 30V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
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auf Bestellung 7601 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586pF @ 30V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Base Part Number: SQJ459 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
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auf Bestellung 45000 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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