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SQJ459EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj459ep.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.99 EUR
6000+0.94 EUR
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Technische Details SQJ459EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.

Weitere Produktangebote SQJ459EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.77 EUR bis 5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Vishay sqj459ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Vishay sqj459ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.02 EUR
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SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Vishay sqj459ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Vishay sqj459ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Vishay sqj459ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.94 EUR
107+1.58 EUR
108+1.51 EUR
117+1.33 EUR
250+1.27 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 VISHAY 2614551.pdf Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
auf Bestellung 1963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
118+1.82 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqj459ep.pdf MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 16628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+2.15 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1 EUR
6000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj459ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.56 EUR
10+2.27 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0014407285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 11077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.82 EUR
81+2.88 EUR
120+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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SQJ459EP-T1"GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQJ459EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 52A, POWERPAKSO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
79+2.98 EUR
94+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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SQJ459EP-T1_GE3 sqj459ep.pdf
SQJ459EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ459EP-T1_GE3 sqj459ep.pdf
SQJ459EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SQJ459EP-T1_GE3
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Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
152+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+1.61 EUR
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Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2544 Stücke:
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90+1.94 EUR
107+1.58 EUR
108+1.51 EUR
117+1.33 EUR
250+1.27 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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SQJ459EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
auf Bestellung 1963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.64 EUR
118+1.82 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.19 EUR
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SQJ459EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 16628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.87 EUR
10+2.15 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1 EUR
6000+0.99 EUR
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SQJ459EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+2.27 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.14 EUR
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SQJ459EP-T1_GE3 VISH-S-A0014407285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ459EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 11077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+4.82 EUR
81+2.88 EUR
120+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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SQJ459EP-T1"GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ459EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 52A, POWERPAKSO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5 EUR
79+2.98 EUR
94+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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