SQJ974EP-T1_GE3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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Technische Details SQJ974EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8, Base Part Number: SQJ974, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power - Max: 48W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, FET Feature: Standard, FET Type: 2 N-Channel (Dual), Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SQJ974EP-T1_GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: VISHAY
Material: SQJ974EP-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller:
SQJ974EP MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Hersteller: VISHAY
Material: SQJ974EP-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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auf Bestellung 12639 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Base Part Number: SQJ974
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 48W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
FET Feature: Standard
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 11254 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SQJ974EP-T1_GE3
SQJ974EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 48W
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
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SQJ974EP-T1_GE3
SQJ974EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 48W
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
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