SQJ974EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.92 EUR |
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Technische Details SQJ974EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQJ974EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.87 EUR bis 2.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SQJ974EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 16W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2929 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQJ974EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 16W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2929 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ974EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 4790 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ974EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 59147 Stücke: Lieferzeit 508-512 Tag (e) |
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SQJ974EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ974EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 4388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ974EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQJ974EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |