Produkte > VISHAY SILICONIX > SQM120P04-04L_GE3
SQM120P04-04L_GE3

SQM120P04-04L_GE3 Vishay Siliconix

sqm120p0.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SQM120P04-04L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SQM120P04-04L_GE3 nach Preis ab 2.83 EUR bis 6.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sqm120p0.pdf MOSFETs P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 17742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.37 EUR
10+4.91 EUR
100+3.61 EUR
500+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqm120p0.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.65 EUR
10+5.08 EUR
100+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3 Hersteller : VISHAY sqm120p0.pdf Description: VISHAY - SQM120P04-04L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3 Hersteller : VISHAY sqm120p0.pdf Description: VISHAY - SQM120P04-04L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3 Hersteller : Vishay sqm120p0.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM120P04-04L-GE3 SQM120P04-04L-GE3 Hersteller : Vishay sqm120p0.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3 Hersteller : Vishay sqm120p0.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM120P04-04L-GE3 SQM120P04-04L-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM120P04-04L_GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH