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SQM120P04-04L_GE3

SQM120P04-04L_GE3 VISHAY

VISH-S-A0024174219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM120P04-04L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details SQM120P04-04L_GE3 VISHAY

Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SQM120P04-04L_GE3 nach Preis ab 3.37 EUR bis 9.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3 Vishay / Siliconix sqm120p0.pdf MOSFETs P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 17742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+5.84 EUR
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SQM120P04-04L"GE3 SQM120P04-04L"GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQM120P04-04L"GE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 120A, TO-263
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Transistormontage: Surface Mount
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.75 EUR
43+5.47 EUR
48+4.55 EUR
53+4.09 EUR
100+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3 Vishay Siliconix sqm120p0.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 600 Stücke:
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3+8.15 EUR
10+5.39 EUR
100+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3 VISHAY VISH-S-A0024174219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM120P04-04L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1834 Stücke:
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26+9.62 EUR
35+6.75 EUR
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SQM120P04-04L_GE3 sqm120p0.pdf
SQM120P04-04L_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 17742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+5.84 EUR
100+4.3 EUR
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SQM120P04-04L"GE3
SQM120P04-04L"GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM120P04-04L"GE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 120A, TO-263
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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SQM120P04-04L_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
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Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+8.15 EUR
10+5.39 EUR
100+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SQM120P04-04L_GE3 VISH-S-A0024174219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM120P04-04L_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM120P04-04L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
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auf Bestellung 1834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+9.62 EUR
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100+4.44 EUR
500+4.22 EUR
1000+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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