SQP90142E_GE3 Vishay Semiconductors
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10+ | 6.42 EUR |
100+ | 5.28 EUR |
500+ | 4.47 EUR |
1000+ | 3.8 EUR |
2500+ | 3.59 EUR |
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Technische Details SQP90142E_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQP90142E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 78.5 A, 0.0127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 78.5, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 250, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 250, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: TrenchFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SQP90142E_GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SQP90142E_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQP90142E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 78.5 A, 0.0127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 78.5 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 250 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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SQP90142E_GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 78.5A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQP90142E_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V |
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