SQP90142E_GE3

SQP90142E_GE3 Vishay Semiconductors


sqp90142e-1766458.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 200v Vds 78.5A Id AEC-Q101 Qualified
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Technische Details SQP90142E_GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SQP90142E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 78.5 A, 0.0127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 78.5, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 250, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 250, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: TrenchFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQP90142E_GE3 SQP90142E_GE3 Hersteller : VISHAY 2261979.pdf Description: VISHAY - SQP90142E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 78.5 A, 0.0127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 78.5
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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SQP90142E_GE3 SQP90142E_GE3 Hersteller : Vishay sqp90142e.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 78.5A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SQP90142E_GE3 SQP90142E_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqp90142e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
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