SQP90142E_GE3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.45 EUR |
| 10+ | 4.58 EUR |
| 25+ | 4.32 EUR |
| 100+ | 3.71 EUR |
| 250+ | 3.5 EUR |
| 500+ | 3.28 EUR |
| 1000+ | 2.83 EUR |
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Technische Details SQP90142E_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQP90142E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 78.5 A, 0.0127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 78.5, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 250, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 250, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: TrenchFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SQP90142E_GE3 nach Preis ab 3.47 EUR bis 7.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SQP90142E_GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SQP90142E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 78.5 A, 0.0127 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 78.5 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 250 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQP90142E_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQP90142E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 78.5 A, 0.0127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 78.5
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SQP90142E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 78.5 A, 0.0127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 78.5
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 7.65 EUR |
| 39+ | 6.01 EUR |
| 100+ | 4.84 EUR |
| 500+ | 4.09 EUR |
| 1000+ | 3.47 EUR |