SST201-T1-E3
SST201-T1-E3
Hersteller: VISHAYDescription: VISHAY - SST201-T1-E3 - Transistor, FULL REEL
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 1
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: -1.5
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3 Pin
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: To Be Advised
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Technische Details SST201-T1-E3
Description: JFET N-CH 25V .7MA SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Obsolete, Power - Max: 350 mW, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 10 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 15 V.
Preis SST201-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
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SST201-T1-E3 Hersteller: Vishay Semiconductors JFET 25V 0.7mA
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: JFET N-CH 25V .7MA SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Obsolete Power - Max: 350 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 15 V
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: JFET N-CH 25V .7MA SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Obsolete Power - Max: 350 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 15 V
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