SST5485-T1-E3

SST5485-T1-E3

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2N;SST5484%20Series.pdf
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Technische Details SST5485-T1-E3

Description: JFET P-CH 35V 4MA SOT-23, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4 mA @ 15 V, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 350 mW, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-23, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V, FET Type: N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3.

Preis SST5485-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SST5485-T1-E3
Hersteller: Vishay
SMD
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3002000 Stücke
SST5485-T1-E3
SST5485-T1-E3
Hersteller: Vishay
N-Channel RF FETs
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SST5485-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
JFET RECOMMENDED ALT 781-SST5485-TR
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SST5485-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: JFET P-CH 35V 4MA SOT-23
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 350 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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