SUD23N06-31-GE3
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Technische Details SUD23N06-31-GE3
Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO-252, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SUD23, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V.
Preis SUD23N06-31-GE3 ab 0.5 EUR bis 1 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK 
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 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 21.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 31.25 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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SUD23N06-31-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SUD23N06-31-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 21.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 31.25 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 21.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 31.25 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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SUD23N06-31-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SUD23N06-31-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V
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auf Bestellung 1786 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: TO-252AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO-252 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Part Status: Active FET Type: N-Channel Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Base Part Number: SUD23 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V Vgs (Max): ±20V
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auf Bestellung 2052 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252 Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: TO-252AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT)
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