SUD23N06-31-GE3

SUD23N06-31-GE3

Hersteller: VISHAY
Material: SUD23N06-31-GE3 SMD N channel transistors
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Technische Details SUD23N06-31-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO-252, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SUD23, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V.

Preis SUD23N06-31-GE3 ab 0.5 EUR bis 1 EUR

SUD23N06-31-GE3
SUD23N06-31-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31.25
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY
Material: SUD23N06-31-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31.25
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31.25
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: TO-252AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO-252
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Base Part Number: SUD23
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: TO-252AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
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