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SUD23N06-31-GE3

SUD23N06-31-GE3 Vishay Siliconix


sud23n06.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:

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Technische Details SUD23N06-31-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31.25W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Hersteller : Vishay sud23n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
117+1.27 EUR
137+1.05 EUR
160+0.86 EUR
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SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAD0AF0E1F0BE27&compId=SUD23N06-DTE.pdf?ci_sign=4995d84dd34b76179f05e74256461566615bb5e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
Power dissipation: 31.25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
66+1.09 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAD0AF0E1F0BE27&compId=SUD23N06-DTE.pdf?ci_sign=4995d84dd34b76179f05e74256461566615bb5e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
Power dissipation: 31.25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
66+1.09 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sud23n06.pdf MOSFETs N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.02 EUR
10+1.35 EUR
100+1.01 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sud23n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 6646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.32 EUR
12+1.51 EUR
100+1.03 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Hersteller : VISHAY sud23n06.pdf Description: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.25W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1124 Stücke:
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