SUD50N04-8M8P-4GE3
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Technische Details SUD50N04-8M8P-4GE3
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252, Base Part Number: SUD50, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: TO-252AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 20V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: Vishay Siliconix.
Preis SUD50N04-8M8P-4GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SUD50N04-8M8P-4GE3 Hersteller: VISHAY Material: SUD50N04-8M8P-4GE3 SMD N channel transistors 
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Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SUD50N04-8M8P-4GE3 Hersteller: VISHAY Material: SUD50N04-8M8P-4GE3 SMD N channel transistors
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SUD50N04-8M8P-4GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V
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auf Bestellung 6849 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252 Base Part Number: SUD50 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: TO-252AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 20V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Manufacturer: Vishay Siliconix
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252 Base Part Number: SUD50 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: TO-252AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 20V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Manufacturer: Vishay Siliconix Packaging: Cut Tape (CT)
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