SUD50N04-8M8P-4GE3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Technische Details SUD50N04-8M8P-4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252, Base Part Number: SUD50, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: TO-252AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 20V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: Vishay Siliconix.

Preis SUD50N04-8M8P-4GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SUD50N04-8M8P-4GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SUD50N04-8M8P-4GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Hersteller: VISHAY
Material: SUD50N04-8M8P-4GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Base Part Number: SUD50
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: TO-252AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 20V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay Siliconix
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SUD50N04-8M8P-4GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Base Part Number: SUD50
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: TO-252AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 20V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Manufacturer: Vishay Siliconix
Packaging: Cut Tape (CT)
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