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SUD50N04-8M8P-4GE3

SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay

sud50n04.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
266+0.67 EUR
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Technische Details SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay

Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 48.1W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm.

Weitere Produktangebote SUD50N04-8M8P-4GE3 nach Preis ab 0.56 EUR bis 5.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay sud50n04.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+0.71 EUR
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SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay sud50n04.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.19 EUR
205+0.84 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
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SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay Siliconix sud50n04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.21 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay sud50n04.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.27 EUR
149+1.14 EUR
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500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 VISHAY sud50n04.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.55 EUR
52+1.65 EUR
100+1.04 EUR
200+0.87 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay Siliconix sud50n04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.71 EUR
100+1.84 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay Semiconductors sud50n04.pdf MOSFETs 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V
auf Bestellung 5601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.25 EUR
10+2.68 EUR
100+1.86 EUR
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1000+1.36 EUR
2500+1.25 EUR
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SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 VISHAY sud50n04.pdf Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 48.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 47734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.07 EUR
98+2.39 EUR
132+1.63 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.96 EUR
5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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246+0.71 EUR
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269+0.61 EUR
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Mindestbestellmenge: 246 Stücke
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auf Bestellung 988 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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149+1.14 EUR
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
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SUD50N04-8M8P-4GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7154 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5+4.24 EUR
10+2.71 EUR
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 48.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 47734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.07 EUR
98+2.39 EUR
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5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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