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Technische Details SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48.1W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SUD50N04-8M8P-4GE3 nach Preis ab 0.38 EUR bis 2.46 EUR
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 14A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 30.8W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 14A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 30.8W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V |
auf Bestellung 893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V |
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 48.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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SUD50N04-8M8P-4GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V |
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