SUD50P04-08-GE3
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Technische Details SUD50P04-08-GE3
Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK, FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380pF @ 20V, Base Part Number: SUD50, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Preis SUD50P04-08-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK 
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SUD50P04-08-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SUD50P04-08-GE3 SMD P channel transistors
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SUD50P04-08-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 40V 50A P-CH MOSFET
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auf Bestellung 42195 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SUD50P04-08-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380pF @ 20V Base Part Number: SUD50 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
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