| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 73+ | 2.39 EUR |
| 93+ | 1.86 EUR |
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Technische Details SUD50P04-08-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 73.5W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm.
Weitere Produktangebote SUD50P04-08-GE3 nach Preis ab 1.2 EUR bis 5.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SUD50P04-08-GE3 | Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 40V 50A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 27874 Stücke: Lieferzeit 270-274 Tag (e) |
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SUD50P04-08-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 73.5W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm |
auf Bestellung 17575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD50P04-08-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -50A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 73.5W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 159nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SUD50P04-08-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V 50A P-CH MOSFET
MOSFETs 40V 50A P-CH MOSFET
auf Bestellung 27874 Stücke:
Lieferzeit 270-274 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.16 EUR |
| 10+ | 2.7 EUR |
| 100+ | 1.8 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| 2000+ | 1.2 EUR |
| SUD50P04-08-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 73.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 73.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
auf Bestellung 17575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 43+ | 5.88 EUR |
| 67+ | 3.47 EUR |
| 100+ | 2.17 EUR |
| 500+ | 1.75 EUR |
| 1000+ | 1.63 EUR |
| 5000+ | 1.46 EUR |
| SUD50P04-08-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 73.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 73.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)