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Technische Details SUD50P04-08-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SUD50P04-08-GE3 nach Preis ab 0.81 EUR bis 3.03 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SUD50P04-08-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SUD50P04-08-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V |
auf Bestellung 15100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUD50P04-08-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SUD50P04-08-GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 9295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD50P04-08-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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SUD50P04-08-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V |
auf Bestellung 15786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUD50P04-08-GE3 | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 40578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD50P04-08-GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD50P04-08-GE3 | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 1624 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SUD50P04-08-GE3 | Hersteller : Vishay |
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