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Technische Details SUD50P06-15-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.
Weitere Produktangebote SUD50P06-15-GE3 nach Preis ab 1.17 EUR bis 6.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SUD50P06-15-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V |
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SUD50P06-15-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -50A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 113W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 165nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1882 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SUD50P06-15-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -50A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 113W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 165nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1882 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD50P06-15-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD50P06-15-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V |
auf Bestellung 11488 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SUD50P06-15-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V |
auf Bestellung 24945 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SUD50P06-15-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
auf Bestellung 20658 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD50P06-15-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
auf Bestellung 20658 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD50P06-15-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUD50P06-15-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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SUD50P06-15-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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