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SUD50P06-15-GE3 Vishay

Name: SUD50P06-15-GE3
Brand: Vishay
SKU: 360108-5
Price: 2180.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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Technische Details SUD50P06-15-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote SUD50P06-15-GE3 nach Preis ab 1.13 EUR bis 5.1 EUR

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SUD50P06-15-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50P06-15-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50P06-15-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50P06-15-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

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SUD50P06-15-GE3

Hersteller : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 113W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SUD50P06-15-GE3

Hersteller : VISHAY

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25+	2.9 EUR
29+	2.53 EUR
50+	1.64 EUR
100+	1.39 EUR
125+	1.32 EUR
250+	1.16 EUR
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SUD50P06-15-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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32+	4.6 EUR
50+	3.24 EUR
100+	2.01 EUR
125+	1.89 EUR
250+	1.47 EUR

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SUD50P06-15-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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50+	3.05 EUR

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SUD50P06-15-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

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10+	3.27 EUR
100+	2.27 EUR
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SUD50P06-15-GE3

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs 60V 50A 113W 15mohm @ 10V

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Anzahl	Preis
1+	5.1 EUR
10+	3.33 EUR
100+	2.32 EUR
500+	2.01 EUR
2000+	1.87 EUR

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SUD50P06-15-GE3

Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0009497828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

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SUD50P06-15-GE3

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - MOSFET, P-KANAL, -60V, -50A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

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