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SUD50P06-15-GE3

SUD50P06-15-GE3 Vishay

sud50p0615.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Technische Details SUD50P06-15-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Vishay sud50p0615.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 16000 Stücke:
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SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Vishay Siliconix sud50p06-15.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.11 EUR
4000+1.99 EUR
6000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 VISHAY VISH-S-A0009497828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.13 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Vishay sud50p0615.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.95 EUR
50+3.59 EUR
100+3.08 EUR
125+2.93 EUR
250+2.58 EUR
500+2.32 EUR
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SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Vishay Semiconductors sud50p06-15.pdf MOSFETs 60V 50A 113W 15mohm @ 10V
auf Bestellung 12347 Stücke:
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1+6.5 EUR
10+4.25 EUR
100+2.95 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.39 EUR
2000+2.24 EUR
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SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Vishay Siliconix sud50p06-15.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
auf Bestellung 40017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.62 EUR
10+4.32 EUR
100+3.01 EUR
500+2.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 VISHAY VISH-S-A0009497828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 81803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.54 EUR
50+5.15 EUR
100+3.3 EUR
500+2.73 EUR
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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SUD50P06-15-GE3 Vishay Siliconix sud50p06-15.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4950 @ 25, Qg, нКл = 165, Rds = 15 мОм, Ugs(th) = 3, Р, Вт = 113, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-252 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 520 Stücke:
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SUD50P06-15-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.38 EUR
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SUD50P06-15-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+2.11 EUR
4000+1.99 EUR
6000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD50P06-15-GE3 VISH-S-A0009497828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD50P06-15-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8357 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SUD50P06-15-GE3
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Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+4.95 EUR
50+3.59 EUR
100+3.08 EUR
125+2.93 EUR
250+2.58 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.15 EUR
2000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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SUD50P06-15-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 50A 113W 15mohm @ 10V
auf Bestellung 12347 Stücke:
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1+6.5 EUR
10+4.25 EUR
100+2.95 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.39 EUR
2000+2.24 EUR
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SUD50P06-15-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
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4+6.62 EUR
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100+3.01 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.42 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P06-15-GE3 VISH-S-A0009497828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD50P06-15-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 81803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.54 EUR
50+5.15 EUR
100+3.3 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4950 @ 25, Qg, нКл = 165, Rds = 15 мОм, Ugs(th) = 3, Р, Вт = 113, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-252 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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