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SUD50P06-15-GE3

SUD50P06-15-GE3 Vishay Siliconix

SUD50P06-15-GE3.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
auf Bestellung 7400 Stücke:
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Technische Details SUD50P06-15-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.

Weitere Produktangebote SUD50P06-15-GE3 nach Preis ab 2.26 EUR bis 9.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 VISHAY VISH-S-A0009497828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 71661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.69 EUR
500+3.05 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Vishay sud50p0615.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Vishay sud50p0615.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 151 Stücke:
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33+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Vishay Semiconductors SUD50P06-15-GE3.pdf MOSFETs 60V 50A 113W 15mohm @ 10V
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+4.36 EUR
100+3.17 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.45 EUR
2000+2.26 EUR
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SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Vishay Siliconix SUD50P06-15-GE3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
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3+7.03 EUR
10+4.58 EUR
50+3.53 EUR
100+3.19 EUR
500+2.59 EUR
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SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 VISHAY VISH-S-A0009497828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 71661 Stücke:
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27+9.45 EUR
53+4.45 EUR
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500+3.05 EUR
1000+3 EUR
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SUD50P06-15-GE3 Vishay Siliconix SUD50P06-15-GE3.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4950 @ 25, Qg, нКл = 165, Rds = 15 мОм, Ugs(th) = 3, Р, Вт = 113, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-252 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 520 Stücke:
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SUD50P06-15-GE3 VISH-S-A0009497828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD50P06-15-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 71661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.69 EUR
500+3.05 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SUD50P06-15-GE3 sud50p0615.pdf
SUD50P06-15-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+5.45 EUR
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SUD50P06-15-GE3
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Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 151 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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MOSFETs 60V 50A 113W 15mohm @ 10V
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.89 EUR
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100+3.17 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.45 EUR
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SUD50P06-15-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
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10+4.58 EUR
50+3.53 EUR
100+3.19 EUR
500+2.59 EUR
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SUD50P06-15-GE3 VISH-S-A0009497828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD50P06-15-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 50A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 71661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.45 EUR
53+4.45 EUR
100+3.69 EUR
500+3.05 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
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