SUM90P10-19L-E3
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Technische Details SUM90P10-19L-E3
Description: MOSFET P-CH 100V 90A D2PAK, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Part Status: Active, Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc), Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SUM90, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Mounting Type: Surface Mount, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100pF @ 50V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel.
Preis SUM90P10-19L-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 
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SUM90P10-19L-E3 Hersteller: VISHAY Material: SUM90P10-19L-E3 SMD P channel transistors
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
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auf Bestellung 11487 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SUM90P10-19L-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SUM90P10-19L-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263 Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc) Vgs (Max): ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100pF @ 50V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 100V 90A D2PAK Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Part Status: Active Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc) Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Base Part Number: SUM90 Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100pF @ 50V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel
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auf Bestellung 427 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100pF @ 50V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active
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