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SUM90P10-19L-E3

SUM90P10-19L-E3 Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Technische Details SUM90P10-19L-E3 Vishay

Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Vishay sum90p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Vishay Siliconix sum90p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Vishay sum90p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Vishay sum90p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Vishay sum90p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 VISHAY VISH-S-A0025729373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3055 Stücke:
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250+5.25 EUR
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SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Vishay sum90p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 98 Stücke:
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SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Vishay sum90p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Vishay Semiconductors sum90p10.pdf MOSFETs 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
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SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Vishay Siliconix sum90p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 VISHAY VISH-S-A0025729373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4488 Stücke:
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25+10.38 EUR
36+6.52 EUR
50+5.72 EUR
100+5.41 EUR
250+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Siliconix TSUM90P10-19l_VISHAY_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM90P10-19L-E3 TSUM90P10-19l
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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SUM90P10-19L-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SUM90P10-19L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 4800 Stücke:
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SUM90P10-19L-E3 VISH-S-A0025729373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM90P10-19L-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3055 Stücke:
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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27+6.45 EUR
41+4.14 EUR
47+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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SUM90P10-19L-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+6.45 EUR
41+4.24 EUR
47+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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SUM90P10-19L-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
auf Bestellung 7278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.85 EUR
10+5.34 EUR
100+4.65 EUR
500+4.63 EUR
800+4.5 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7711 Stücke:
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10+6.5 EUR
100+4.65 EUR
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4488 Stücke:
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25+10.38 EUR
36+6.52 EUR
50+5.72 EUR
100+5.41 EUR
250+5.31 EUR
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Hersteller: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM90P10-19L-E3 TSUM90P10-19l
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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