SUP57N20-33-E3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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26+ | 2.85 EUR |
27+ | 2.72 EUR |
32+ | 2.26 EUR |
34+ | 2.13 EUR |
250+ | 2.04 EUR |
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Technische Details SUP57N20-33-E3 VISHAY
Description: VISHAY - SUP57N20-33-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 57 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SUP57N20-33-E3 nach Preis ab 2.04 EUR bis 10.82 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SUP57N20-33-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 792 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SUP57N20-33-E3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 18600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUP57N20-33-E3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 18600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUP57N20-33-E3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUP57N20-33-E3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUP57N20-33-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET 200V 57A 300W |
auf Bestellung 8744 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SUP57N20-33-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V |
auf Bestellung 416 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SUP57N20-33-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP57N20-33-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 57 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUP57N20-33-E3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUP57N20-33-E3 Produktcode: 172747 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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