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SUP57N20-33-E3

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Transistoren > MOSFET N-CH

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SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Hersteller : Vishay sup57n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Hersteller : VISHAY SUP57N20-33-E3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 33A; 300W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain current: 33A
Drain-source voltage: 200V
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 93mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
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SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Hersteller : Vishay sup57n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Hersteller : Vishay sup57n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors sup57n20.pdf MOSFETs 200V 57A 300W
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SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Hersteller : Vishay Siliconix sup57n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
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SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Hersteller : VISHAY SILXS12380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP57N20-33-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 57 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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irfb4332pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561633be1e35
IRFB4332PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 250 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 29 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99
JHGF: THT
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