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SUP57N20-33-E3

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Transistoren > MOSFET N-CH

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SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Vishay sup57n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Vishay sup57n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Vishay Semiconductors sup57n20.pdf MOSFETs 200V 57A 300W
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SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Vishay Siliconix sup57n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
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SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 VISHAY SILXS12380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP57N20-33-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 57 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
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35+6.82 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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57+2.95 EUR
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Trans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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AnzahlPrivatkunde
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58+2.89 EUR
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43+3.93 EUR
58+2.8 EUR
59+2.65 EUR
100+2.02 EUR
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auf Bestellung 636 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
27+6.63 EUR
30+5.85 EUR
50+5.31 EUR
100+4.59 EUR
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MOSFETs 200V 57A 300W
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Hersteller: Vishay Siliconix
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUP57N20-33-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 57 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
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IRFB4332PBF
Produktcode: 52140
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IRFB4332PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 29 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5860/99
Montage: THT
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