IRFB4332PBF
Produktcode: 52140
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 250 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 29 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99
JHGF: THT
Produktrezensionen
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRFB4332PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4332PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4332PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 10486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4332PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2721 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4332PbF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4332PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4332PbF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg |
auf Bestellung 7471 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB4332PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4332PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4332PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4332PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4332PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| IRFB4332PbF | Hersteller : International Rectifier |
MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IRFB4332PbF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V |
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| SUP57N20-33-E3 Produktcode: 172747
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| IXGP16N60B2D1 Produktcode: 122366
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