IRFB4332PBF
Produktcode: 52140
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 250 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 29 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99
JHGF: THT
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote IRFB4332PBF nach Preis ab 2.14 EUR bis 6.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB4332PbF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
IRFB4332PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 554 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB4332PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
Mit diesem Produkt kaufen
| SUP57N20-33-E3 Produktcode: 172747
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXGP16N60B2D1 Produktcode: 122366
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH