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IRFB4332PBF

IRFB4332PBF Infineon Technologies

1565967466652055irfb4332pbf.pdffileid5546d462533600a40153561633be1e35.pdffileid55.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRFB4332PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB4332PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRFB4332PBF IRFB4332PBF Hersteller : Infineon Technologies 1565967466652055irfb4332pbf.pdffileid5546d462533600a40153561633be1e35.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4332PbF IRFB4332PbF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A5AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4332pbf.pdf?ci_sign=bca76ab9566f1edc45d73ba9659a4589e67340f2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB4332PbF IRFB4332PbF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A5AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4332pbf.pdf?ci_sign=bca76ab9566f1edc45d73ba9659a4589e67340f2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Produktcode: 52140
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Hersteller : IR irfb4332pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561633be1e35 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 250 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 29 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99
JHGF: THT
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IRFB4332PbF IRFB4332PbF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFB4332_DataSheet_v01_04_EN-3362974.pdf MOSFETs MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
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IRFB4332PbF IRFB4332PbF Hersteller : Infineon Technologies irfb4332pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561633be1e35 Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
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50+2.92 EUR
100+2.78 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.12 EUR
2000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRFB4332PBF IRFB4332PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0008740647-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4332PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFB4332PBF IRFB4332PBF Hersteller : Infineon Technologies 1565967466652055irfb4332pbf.pdffileid5546d462533600a40153561633be1e35.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4332PBF IRFB4332PBF Hersteller : Infineon Technologies 1565967466652055irfb4332pbf.pdffileid5546d462533600a40153561633be1e35.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFB4332PBF IRFB4332PBF Hersteller : Infineon Technologies 1565967466652055irfb4332pbf.pdffileid5546d462533600a40153561633be1e35.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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