IXGP16N60B2D1
Produktcode: 122366
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXGP16N60B2D1 | IXYS |
Description: IGBT PT 600V 40A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 18ns/73ns Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 150 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXGP16N60B2D1 | IXYS |
IGBTs 16 Amps 600V 2.3 V Rds |
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| IXGP16N60B2D1 |
|
Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 600V 40A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/73ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
Description: IGBT PT 600V 40A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/73ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
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| IXGP16N60B2D1 |
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Hersteller: IXYS
IGBTs 16 Amps 600V 2.3 V Rds
IGBTs 16 Amps 600V 2.3 V Rds
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| SUP57N20-33-E3 Produktcode: 172747
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| IRFB4332PBF Produktcode: 52140
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 29 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5860/99
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 29 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5860/99
Montage: THT
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.69 EUR |
| 10+ | 2.55 EUR |