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IXGP16N60B2D1

littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgp16n60b2d1_datasheet.pdf.pdf
Produktcode: 122366
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXGP16N60B2D1 IXGP16N60B2D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgp16n60b2d1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 600V 40A 150W TO220
Gate Charge: 24 nC
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/73ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
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IXGP16N60B2D1 IXYS media-3322085.pdf IGBTs 16 Amps 600V 2.3 V Rds
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IXGP16N60B2D1
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 600V 40A 150W TO220
Gate Charge: 24 nC
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/73ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
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IXGP16N60B2D1 media-3322085.pdf
Hersteller: IXYS
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IRFB4332PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 29 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5860/99
Montage: THT
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