TN2404K-T1-E3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details TN2404K-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 240V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Part Status: Active, FET Type: N-Channel.

Preis TN2404K-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

TN2404K-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Material: TN2404K-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller:
TN2404KL MOSFET N-CH 240V 200MA TO92
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Hersteller: VISHAY
Material: TN2404K-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller:
TN2404KL MOSFET N-CH 240V 200MA TO92
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 240V 0.2A 4.0Ohm
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
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TN2404K-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 240V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
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TN2404K-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
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