auf Bestellung 1014000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3000+ | 0.17 EUR |
9000+ | 0.15 EUR |
24000+ | 0.13 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TP0610K-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 185mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote TP0610K-T1-GE3 nach Preis ab 0.13 EUR bis 1.12 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TP0610K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1014000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
TP0610K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
TP0610K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
TP0610K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
TP0610K-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.185A; Idm: -800A; 0.14W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.185A Pulsed drain current: -800A Power dissipation: 0.14W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 2406 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
TP0610K-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.185A; Idm: -800A; 0.14W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.185A Pulsed drain current: -800A Power dissipation: 0.14W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2406 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
TP0610K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
TP0610K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
TP0610K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
TP0610K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 15995 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
TP0610K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V |
auf Bestellung 28412 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
TP0610K-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
TP0610K-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
TP0610K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
TP0610K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
TP0610K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |