Produkte > VISHAY > TP0610K-T1-GE3
TP0610K-T1-GE3

TP0610K-T1-GE3 Vishay

tp0610k.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TP0610K-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 185mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote TP0610K-T1-GE3 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.93 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Hersteller : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Hersteller : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Hersteller : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Hersteller : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
675+0.21 EUR
703+0.2 EUR
718+0.18 EUR
781+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 675
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Hersteller : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
654+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 654
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Hersteller : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
599+0.24 EUR
660+0.21 EUR
675+0.2 EUR
703+0.18 EUR
718+0.17 EUR
781+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 599
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix tp0610k.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
auf Bestellung 16642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992D3DD0D5280C7&compId=tp0610k.pdf?ci_sign=4a3f6a5545dae675547d79b23b846d0493f2cbdd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -0.115A; 0.14W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.115A
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
196+0.37 EUR
262+0.27 EUR
451+0.16 EUR
477+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors tp0610k.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 4772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.79 EUR
10+0.49 EUR
100+0.39 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix tp0610k.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
auf Bestellung 17138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.93 EUR
31+0.58 EUR
100+0.42 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Hersteller : VISHAY tp0610k.pdf Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Hersteller : VISHAY tp0610k.pdf Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Hersteller : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610K-T1-GE3 Hersteller : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH