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TP0610K-T1-GE3 Vishay


tp0610k.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details TP0610K-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 185mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Vishay Siliconix tp0610k.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+0.69 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
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TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Vishay Semiconductors tp0610k.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 16704 Stücke:
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4+0.9 EUR
10+0.56 EUR
100+0.44 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.04 EUR
252+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
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TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Vishay Siliconix tp0610k.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13276 Stücke:
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17+1.27 EUR
27+0.8 EUR
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500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
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TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5266 Stücke:
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165+1.52 EUR
276+0.84 EUR
428+0.5 EUR
550+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
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TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55 Stücke:
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TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2832 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
252+0.69 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 16704 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4+0.9 EUR
10+0.56 EUR
100+0.44 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.25 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
169+1.04 EUR
252+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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27+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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TP0610K-T1-GE3 VISH-S-A0010613246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
165+1.52 EUR
276+0.84 EUR
428+0.5 EUR
550+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610K-T1-GE3 VISH-S-A0010613246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
165+1.52 EUR
276+0.84 EUR
428+0.5 EUR
550+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610K-T1-GE3 tp0610k.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH